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REXROTH壓力傳感器R901342024的驅動(dòng)方式

簡(jiǎn)要描述:REXROTH壓力傳感器R901342024的驅動(dòng)方式
壓力傳感器的溫度范圍分為補償溫度范圍和工作溫度范圍。

  • 產(chǎn)品型號:HM 20-2X/100-C-K35
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2025-03-09
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:904

詳細介紹

REXROTH壓力傳感器R901342024的驅動(dòng)方式

性能介紹:
由于隨著(zhù)應力的變化電場(chǎng)變化微?。ㄒ簿驼f(shuō)壓
電系數比較低),所以石英逐漸被其他的壓電
較低的環(huán)境下才能夠應用。磷酸二氫胺屬于人
造晶體,相對密度1.80,熔點(diǎn)190℃,能夠承
晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈
敏度和壓電系數,但是它只能在室溫和濕度比
受高溫和相當高的濕度,在空氣中穩定。
技術(shù)參數:
精度等級  1)

<0.5
溫度系數
生命周期
6000萬(wàn)個(gè)負載循環(huán)或60000小時(shí)


重量

公斤
0.06
根據DIN EN 60068-2-27允許的沖擊和振動(dòng)負載
15 g / 11 ms / 3軸
零點(diǎn)和范圍
<0.1%/ 10 K
磁滯  2)

<0.15
參考條件下的漂移(1年)

<0.1
功能說(shuō)明:
它是一種在硅芯片的一面沉積柵電結構的器
件。柵電和長(cháng)度傳感器硅芯片間有一層約為
荷載流子,并被收集和存儲在硅芯片的勢阱中
。勢阱是當在柵電上加正電壓時(shí),在電場(chǎng)的
0.1~0.12微米厚的SiO2透明絕緣層,形成電
容陣列。由于柵電可以透光,硅芯片是一種
光敏材料,當光照射在其上時(shí),在內部產(chǎn)生電
作用下,與電相鄰的硅芯片表面的正電荷被
推離后形成的一個(gè)耗盡層。
線(xiàn)性誤差:
這是一個(gè)對力士樂(lè )壓力傳感器初始誤差影響較
非線(xiàn)性,但對于帶放大器的傳感器,還應包括
小的因素,該誤差的產(chǎn)生原因在于硅片的物理
放大器的非線(xiàn)性。線(xiàn)性誤差曲線(xiàn)可以是凹形曲
線(xiàn),也可以是凸形曲線(xiàn)稱(chēng)重傳感器。

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